多像素光電二極管陣列

簡(jiǎn)要描述：Optodiode光電二極管：多元件和陣列探測(cè)器
光電二極管提供標(biāo)準(zhǔn)和自定義配置的多元件或陣列探測(cè)器，以緊湊的封裝提供我們的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)勢(shì)。

產(chǎn)品型號(hào)： AXUVPS7

所屬分類：光電探測(cè)器陣列

更新時(shí)間：2024-12-17

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OptoDiode多像元光電二極管是電子檢測(cè)理想的選擇，分段光電二極管光譜應(yīng)用范圍是250nm-1100nm，存儲(chǔ)和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C，在氮?dú)饣蛘婵帐?20°C至80°C，引線焊接溫度是260°C。

響應(yīng)性好，噪音低，OptoDiode多像元光電二極管
美國(guó)OptoDiode分段光電二極管有紅色增強(qiáng)型和紫外線增強(qiáng)型分段探測(cè)器，AXUVPS7、SXUVPS4、SXUVPS4C分段探測(cè)器存儲(chǔ)和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C，在氮?dú)饣蛘婵帐?20°C至80°C，引線焊接溫度是260°C。超過這些參數(shù)的溫度可能會(huì)在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長(zhǎng)。隨著時(shí)間的推移，對(duì)低能量輻射和波長(zhǎng)低于150納米的輻射的反應(yīng)性將受到影響。距離外殼0.080"，持續(xù)10秒。發(fā)貨時(shí)帶有臨時(shí)蓋子，以保護(hù)光電二極管和導(dǎo)線連接。在拆除蓋子之前，請(qǐng)查看OptoDiode，"IRD檢測(cè)器的處理注意事項(xiàng)"。美國(guó)OptoDiode分段探測(cè)器光子響應(yīng)性好，噪音低，是電子檢測(cè)的理想選擇。

OptoDiode分段光電二極管型號(hào)

常見的基板分段探測(cè)器是精確歸零或定心應(yīng)用的理想選擇，提供雙節(jié)電池或四節(jié)電池配置。

型號(hào)

零件編號(hào)

描述

有效面積mm2

AXUVPS7

ODD-AXU-096

四光二極管是電子檢測(cè)的理想選擇

36.5

ODD-3W-2

ODD-632-007

紅色增強(qiáng)型3.1mm2雙電池光電二極管

3

SXUVPS4

ODD-SXU-013

象限紫外線增強(qiáng)光電二極管

5

SXUVPS4C

ODD-SXU-023

象限紫外線增強(qiáng)光電二極管

5

ODD-3W-2分段光電二極管的特點(diǎn)

- 紅色增強(qiáng)型

- 低噪音

- 高響應(yīng)

- 高分流電阻

- 扁平的TO-5封裝    

在VR=5 V測(cè)試條件下，暗電流典型值是0.9na，最大值是5na。VR=10 mV， 分流電阻的典型值是300歐姆。當(dāng)VR=0 V, f=1MHz，結(jié)點(diǎn)電阻是30pF，當(dāng)VR=10 V, f=1MHz時(shí)結(jié)點(diǎn)電阻是7.5pF。光譜應(yīng)用范圍是250nm-1100nm。當(dāng)λ=633nm, VR=0V時(shí)，反應(yīng)性最小值是0.32A/W，典型值是0.36A/W，當(dāng)λ=900nm, VR=0V時(shí)，反應(yīng)性最小值是0.5A/W，典型值是0.6A/W。當(dāng)IR=10μA，擊穿電壓最小值是25V，典型值是60V。當(dāng)VR=0V, λ=950nm時(shí)，噪聲等效功率2.5x10-14 W/√HZ。當(dāng)RL=50Ω, VR=0V，上升時(shí)間典型值為190納秒，當(dāng)RL=50Ω, VR=10V，上升時(shí)間典型值為8納秒。反向電壓100V。暗電流與電壓圖同AXUVPS7分段光電二極管相同。

存儲(chǔ)溫度為-55°C~150°C，工作溫度為-40°C~125°C，引線焊接溫度是260°C。

Opto Diode光電二極管陣列，電子檢測(cè)的理想選擇
Opto Diode提供標(biāo)準(zhǔn)和定制配置的多元素或陣列探測(cè)器，以緊湊的封裝提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)點(diǎn)
Opto Diode光電二極管陣列有兩種型號(hào)，采用40針雙列式封裝或者22針雙列式封裝，是電子檢測(cè)的理想選擇。有保護(hù)性蓋板，以保護(hù)光電二極管陣列和導(dǎo)線連接。波威Opto Diode光電探測(cè)器陣列可以在紫外、可見、近紅外光中進(jìn)行響應(yīng)，從典型的紫外-可見-近紅外光子響應(yīng)性圖中可以看到靈敏度小于0.5A/W。
光電二極管陣列有效面積分別是3mm2和10mm2，AXUV16ELG光電二極管陣列是16個(gè)元件光電二極管陣列，AXUV20ELG多元素陣列是20個(gè)元素的陣列。光電二極管陣列儲(chǔ)存和工作溫度范圍在外界下是-10°C~40°C，在氮?dú)夂驼婵障聹囟仁?20°C~80°C，引線焊接的溫度是260°C。超過這些參數(shù)的溫度可能會(huì)在有源區(qū)產(chǎn)生氧化物生長(zhǎng)。隨著時(shí)間的推移，對(duì)低能量輻射和150納米以下波長(zhǎng)的響應(yīng)性將受到影響。距離外殼0.080英寸，持續(xù)10秒。發(fā)貨時(shí)帶有臨時(shí)蓋子，以保護(hù)Opto Diode光電探測(cè)器陣列和導(dǎo)線連接。在拆除蓋子之前，請(qǐng)查看應(yīng)用說明 "AXUV、SXUV和UVG檢測(cè)器的處理注意事項(xiàng)"。
AXUV16ELG光電二極管陣列的特點(diǎn),
- 40針雙列式封裝
- 是電子檢測(cè)的理想選擇
- 保護(hù)性蓋板
在25°C時(shí)的電光特性
AXUV16ELG光電二極管陣列在2mmx5mm的測(cè)試條件下，有效面積的典型值是10mm2。當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓典型值是25V。VR=0V時(shí)，電容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V測(cè)試條件下，上升時(shí)間典型值為500納秒。在Vf=±10mV測(cè)試條件下時(shí)，每個(gè)元件的分流電阻值是100歐姆。

AXUV20ELG光電探測(cè)器陣列的特點(diǎn)
- 22針雙列式封裝
- 是電子檢測(cè)的理想選擇
- 保護(hù)性蓋板3
AXUV20ELG光電探測(cè)器陣列在0.75mmx4.1mm的測(cè)試條件下，有效面積的典型值是3mm2，靈敏度見圖，當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓典型值是25V，最小值是20V。VR=0V時(shí)，電容,最大值是1nF。VR=0V測(cè)試條件下，上升時(shí)間典型值為200納秒。在Vf=±10mV測(cè)試條件下時(shí)，每個(gè)元件的分流電阻值是100歐姆。

SXUVPS4C分段光電二極管

TO-5，5引腳封裝，SXUVPS4C分段光電二極管每象限有效面積的典型值是1.25mm2，在波長(zhǎng)254nm時(shí)，響應(yīng)性是0.02A/W。VR=±18V，暗電流典型值是1nA，最大值是100nA。當(dāng)R=1µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是20V。VR=0V，電容典型值是100pF，最大值是300Pf。VR=0V時(shí)，上升時(shí)間典型值是1微秒。Vf=±10mV時(shí)分流電阻是100歐姆。電容與電壓是反比的關(guān)系，暗電流與電壓是正比的關(guān)系

AXUVPS7分段光電二極管的特點(diǎn)

- 是電子檢測(cè)的理想選擇

- 圓形有效區(qū)域

AXUVPS7分段光電二極管在25°C時(shí)的電光特性，有效面積的典型值是36.5mm2。響應(yīng)性的最小值是0.07A/W，典型值是0.08A/W，最大值是0.09A/W。當(dāng)VR為±10mV時(shí)，分流電阻最小值為10歐姆，當(dāng)電阻的電流為IR=1µA時(shí)，反向擊穿電壓最小值是5V。VR=0V時(shí)，電容的典型值是2nF,最大值是6nf。當(dāng)VR=2V, RL=50Ω，上升時(shí)間最大值是2微秒。

美國(guó)Optodiode光電二極管：多像元和陣列探測(cè)器

光電二極管提供標(biāo)準(zhǔn)和自定義配置的多元件或陣列探測(cè)器，以緊湊的封裝提供我們的AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有優(yōu)勢(shì)。

AXUV16ELG   ODD-AXU-023     16 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection

AXUV20ELG   ODD-AXU-033     20 Element Photodiode Array Ideal for Electron Detection

AXUV16ELG ODD-AXU-023 16元件光電二極管陣列是電子探測(cè)的理想選擇

AXUV20ELG ODD-AXU-033 20元件光電二極管陣列是電子探測(cè)的理想選擇

Optodiode光電二極管：電子、光子、X射線探測(cè)器（AXUV）

AXUV系列探測(cè)器的特點(diǎn)是對(duì)0.0124nm至190nm的光子、電子或X射線進(jìn)行高性能測(cè)量，并檢測(cè)100eV至50keV的能量。

型號(hào)       描述

AXUV100G     ODD-AXU-010     Large Photodiode Ideal for Radiation Detection      

AXUV20A       ODD-AXU-026     Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection  

AXUV20HS1   ODD-AXU-036     High Speed Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection      

AXUV300C     ODD-AXU-082     Large Rectangular Photodiode Ideal for Radiation Detection

AXUV576C     ODD-AXU-048     Large Square Photodiode Ideal for Radiation Detection  

AXUV63HS1   ODD-AXU-049     High Speed Circuclar Photodiode Ideal for Radiation Detection    

AXUV63HS1-CH   ODD-AXU-051     High Speed Circular Photodiode with Center Hole Ideal for Radiation Detection

AXUV100G ODD-AXU-010 大型光電二極管是輻射檢測(cè)的理想選擇

AXUV20A ODD-AXU-026 圓形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇

AXUV20HS1 ODD-AXU-036 高速環(huán)形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇

AXUV300C ODD-AXU-082 大型矩形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇

AXUV576C ODD-AXU-048 大型方形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇

AXUV63HS1 ODD-AXU-049 高速環(huán)形光電二極管，輻射探測(cè)的理想選擇

AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 帶中心孔的高速圓形光電二極管是輻射探測(cè)的理想選擇

光電二極管：EUV增強(qiáng)型探測(cè)器（SXUV）

SXUV系列極紫外（EUV）增強(qiáng)型探測(cè)器具有好的13.5nm光刻能力，在1nm至190nm的極紫外曝光中具有穩(wěn)定的響應(yīng)度，是關(guān)鍵的EUV光測(cè)量的理想選擇。

SXUV100      ODD-SXU-001      Large EUV Photodetector (1nm-190nm)

SXUV20C       ODD-SXU-051      EUV Low Noise Photodetector (1nm-190nm)

SXUV20HS1   ODD-SXU-004      High Speed EUV Photodetector (1nm-190nm

SXUV300C     ODD-SXU-044      Large EUV High Speed Ceramic Package Photodetector (1nm-190nm)

SXUV5    ODD-SXU-008      High Speed EUV Photodetector (1nm-90nm)

SXUV100 ODD-SXU-001大型EUV光電探測(cè)器（1nm-190nm）

SXUV20C ODD-SXU-051 EUV低噪聲光電探測(cè)器（1nm-190nm）

SXUV20HS1 ODD-SXU-004高速EUV光電探測(cè)器（1nm-190nm

SXUV300C ODD-SXU-044大型EUV高速陶瓷封裝光電探測(cè)器（1nm-190nm）

SXUV5 ODD-SXU-008高速EUV光電探測(cè)器（1nm-90nm）

光電二極管：集成薄膜、封裝和濾光器組件

光電二極管生產(chǎn)集成薄膜濾波器，用于檢測(cè)太陽EUV輻射、軟x射線輻射測(cè)量、x射線和EUV光刻、x射線顯微鏡和XUV光譜。我們還生產(chǎn)濾光窗、日光濾光器和多波長(zhǎng)封裝組件。

AXUV100TF030     ODD-AXU-019     Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

AXUV100TF400     ODD-AXU-002     Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

SXUV100TF135      ODD-SXU-003      Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter

AXUV100TF030 ODD-AXU-019直接沉積薄膜濾光片光電二極管具有直接沉積薄膜濾光片

AXUV100TF400 ODD-AXU-002光電二極管

SXUV100TF135 ODD-SXU-003直接沉積薄膜濾光片光電二極管